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IRFBE30L中文资料HEXFET® Power MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFBE30L

功能描述

HEXFET® Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 13:01:00

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技术参数

  • 型号:

    IRFBE30L

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
SOT-262
50000
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24+
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TO-262
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VISHAY/威世
23+
SOT-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
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IR
24+
TO-262
8866
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Vishay Siliconix
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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IR
23+24
TO-262
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主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
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