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IRFBE30L	文件：1.20346 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Fast Switching • Ease of P 文件：1.20346 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBE30L	文件：517.21 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are R 文件：517.21 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBE30L	文件：473.61 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. O Dynamic dv/dt Rating O Repetitive Avalanche Rated O Fast Switching O Ease of Pa 文件：473.61 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFBE30L	文件：511.66 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：511.66 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBE30LPBF	文件：517.21 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are R 文件：517.21 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBE30LPBF	文件：588.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. O Dynamic dv/dt Rating O Repetitive Avalanche Rated O Fast Switching O Ease of Pa 文件：588.09 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBE30LPBF	文件：1.20346 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Fast Switching • Ease of P 文件：1.20346 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBE30LPBF	文件：511.66 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：511.66 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBE30L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Dynamic dV/dt rating\nRepetitive avalanche rated\nFast switching;	Vishay 威世科技	Vishay
IRFBE30L	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFBE30L
功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFBE30L供应商更新时间2025-10-7 10:31:00

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