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IRFBE30L	文件：517.21 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare R	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30L	文件：473.61 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ODynamicdv/dtRating ORepetitiveAvalancheRated OFastSwitching OEaseofPa	IRF International Rectifier	IRF
IRFBE30L	文件：1.20346 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30L	文件：511.66 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30LPBF	文件：517.21 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare R	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30LPBF	文件：588.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ODynamicdv/dtRating ORepetitiveAvalancheRated OFastSwitching OEaseofPa	IRF International Rectifier	IRF
IRFBE30LPBF	文件：1.20346 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30LPBF	文件：511.66 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBE30L
功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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