| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
 |
IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
246 |
00+00+ |
原装进口无铅现货 |
|||
|
12年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
 |
VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
18年
留言
|
VISHAY/威世TO-220 |
1513 |
20+23+ |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
|||
|
2年
留言
|
VISHAY |
1600 |
20+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
|||
|
4年
留言
|
IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
7年
留言
|
IRTO220 |
11000 |
19+ |
||||
|
6年
留言
|
IRTO-220 |
2700 |
23+ |
||||
|
13年
留言
|
IR |
26976 |
2018+ |
代理原装现货/特价热卖! |
|||
|
10年
留言
|
IRTO-220 |
20000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
|
12年
留言
|
IRTO-220 |
30000 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
|||
|
6年
留言
|
IRTO-220 |
2700 |
00+ |
||||
|
11年
留言
|
IRTO-220 |
30000 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
|||
|
10年
留言
|
IRTO-220 |
20000 |
25+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
12年
留言
|
IRTO-220 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
|
14年
留言
|
IRTO-220 |
19526 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
|
2年
留言
|
IRTO-220 |
10000 |
25+ |
||||
|
17年
留言
|
IRTO-220AB |
8866 |
24+ |
||||
|
12年
留言
|
IRTO-220 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
IRFBC40A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBC40ASTRLPBF价格
IRFBC40ASTRLPBF价格：￥11.9801品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFBC40ASTRLPBF多少钱，想知道IRFBC40ASTRLPBF价格是多少？参考价：￥11.9801。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC40ASTRLPBF批发价格及采购报价，IRFBC40ASTRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFBC40ASTRLPBF报价。
IRFBC40A资讯
IRFBC40APBF
IRFBC40APBF
IRFBC40A中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBC40A功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40AL功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBC40APBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40AS功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBC40ASTRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
