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IRFBC40A	文件：97.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified ( See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Su 文件：97.71 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFBC40A	文件：151.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：151.08 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC40A	文件：284.71 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：284.71 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC40A	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：328.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFBC40APBF	文件：189 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ●Effective Coss Specified ( See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply ( SMPS ) 文件：189 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFBC40AS	文件：111.63 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified ( See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Su 文件：111.63 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFBC40AS	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance ple 文件：342.98 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC40AS	文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www. 文件：387.52 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC40AS_V01	文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www. 文件：387.52 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC40ASPBF	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance ple 文件：342.98 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC40A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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