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IRFBC40ASPBF

Power MOSFET

FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive    requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt    ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche    voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance    ple

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBC40ASPBF

Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBC40ASPBF

HEXFET POWER MOSFET

文件:594.06 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFBE30PBF

TO220

VISHAYVishay Siliconix

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上传:深圳市旺财半导体有限公司

IRFBE30PBF

TO-220

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    IRFBC40ASPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFBC40ASPBF供应商 更新时间2026-4-17 10:20:00