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IRFBC40ASTRL	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40ASTRLPBF	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40ASTRR	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40ASTRRPBF	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40A_V01	文件：284.71 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40APBF	文件：284.71 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40AS	文件：322.25 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFBC40ASPBF	文件：594.06 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC40ASPBF	文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40ASTRLPBFA	文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC40A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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