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IRFD110PBF

Power MOSFET

文件:156.17 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    100V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    540 mΩ @ 600mA,10V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    1.3W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DIP
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原厂封装
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更多IRFD110供应商 更新时间2025-10-11 9:43:00