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IRFBC40S	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40S	文件：350.66 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A) Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC40S	文件：322.23 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFBC40S	文件：328.07 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; Surface-mount (IRFBC40S, SiHFBC40S)\nLow-profile through-hole (IRFBC40L, SiHFBC40L)\nAvailable in tape and reel (IRFBC40S, SiHFBC40S);	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40SPBF	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40SPBF	文件：360.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC40STRL	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40STRLPBF	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40S/SiHFBC40S/IRFBC40L/SiHFBC40L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC40S
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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