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IRFBC40A	文件：97.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC40APBF	文件：189 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS)	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC40AS	文件：111.63 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC40AS	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40AS	文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40AS_V01	文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40ASPBF	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40ASTRL	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40ASTRLPBF	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40ASTRR	文件：342.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRFBC40
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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