| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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18年
留言
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VISHAY/威世TO220 |
5000 |
19+ |
全新原装深圳现货价格优势 |
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16年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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11年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
22000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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12年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
5715 |
25+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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14年
留言
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VISHAYTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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2年
留言
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VISHAY |
9000 |
21+ |
TO-220-3 |
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11年
留言
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VISHAY原厂原装 |
23200 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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3年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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2年
留言
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VISHAYTO-220 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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12年
留言
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VISHAY原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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15年
留言
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VISHAYTO-220 |
15000 |
24+ |
全新原装的现货 |
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7年
留言
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IRTO-220 |
14800 |
05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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18年
留言
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IR |
30 |
25+ |
公司优势库存 热卖中! |
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10年
留言
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IRSOT-2586&NBS |
4500 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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13年
留言
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irN/A |
6980 |
24+ |
原装现货,可开13%税票 |
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6年
留言
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IRTO-220 |
1000 |
23+ |
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13年
留言
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IRTO-220 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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17年
留言
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IRTO-220AB |
8866 |
24+ |
IRFBC20采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBC20图片
IRFBC20PBF价格
IRFBC20PBF价格：￥1.9518品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFBC20PBF多少钱，想知道IRFBC20PBF价格是多少？参考价：￥1.9518。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC20PBF批发价格及采购报价，IRFBC20PBF销售排行榜及行情走势，IRFBC20PBF报价。
IRFBC20中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBC20功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20L功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20LPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20PBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20S功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20S/LPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFBC20SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20STRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20STRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
