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IRFBC20L	文件：310.72 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC20S,SiHFBC20S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC20L,SiHFBC20L) •Availableintapeandreel(IRFBC20,SiiHFBC20S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20L	文件：355.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC20L	文件：247.05 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; Surface-mount (IRFBC20S, SiHFBC20S)\nLow-profile through-hole (IRFBC20L, SiHFBC20L)\nAvailable in tape and reel (IRFBC20, SiiHFBC20S);	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A);	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFBC20LPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC20LPBF	文件：247.05 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20LPBF	文件：329.76 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC20L
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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