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IRFBC30APBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterrupt

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IRF

IRFBC30APBF

Power MOSFET

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IRFBC30APBF

Power MOSFET

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IRFBC30APBF-BE3

Power MOSFET

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IRFBC30APBF

MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET

Vishay

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详细参数

  • 型号:

    IRFBC30APBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFBC30APBF供应商 更新时间2025-10-4 9:05:00