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IRFBF30S

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) package is universially preferred for all commercial-industrial applications at power dissipat

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IRFBF30SLPBF

Power MOSFET

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Power MOSFET

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IRFBF30S/SiHFBF30S

Power MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    IRFBF30S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFBF30S供应商 更新时间2026-10-27 15:57:00