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IRFBG30	文件：1.52102 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipati 文件：1.52102 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBG30	文件：611.63 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH 文件：611.63 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBG30	文件：167.99 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A) Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A) 文件：167.99 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFBG30	文件：4.03867 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation 文件：4.03867 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFBG30	文件：265.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：265.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFBG30	文件：1.64596 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.64596 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBG30	文件：585.44 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：585.44 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBG30	文件：1.64435 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.64435 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBG30_V02	文件：611.63 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH 文件：611.63 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBG30PBF	文件：1.52102 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipati 文件：1.52102 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

技术参数

漏源电压（Vdss）：
1000V
栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
5 Ω @ 1.9A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
125W

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