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IRFM450	文件：15.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM450	文件：181.56 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySeale	IRF International Rectifier	IRF
IRFM450	文件：182.42 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFMA450	文件：163.6 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TablessTO-254AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRFMA450	文件：166.88 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：218.18 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.415ohm,Id=12A) RDS(on)0.415Ω ID12A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：184.1 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) RDS(on)0.415Ω ID12A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：185.29 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP450	文件：90.99 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-0.33ohm-14A-TO-247PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.33Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRFP450	文件：212.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
IRFC450R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP

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更多IRFC450R供应商更新时间2025-5-22 14:00:00

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