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IRFD9014	文件：839.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinat 文件：839.16 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9014	文件：858.54 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • For automatic Insertion • End stackable • P-channel • 175 °C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation 文件：858.54 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9014	文件：831.83 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • For automatic Insertion • End stackable • P-channel • 175 °C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation 文件：831.83 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9014	文件：177.51 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A) 文件：177.51 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFD9014	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Dynamic dV/dt rating\n• Repetitive avalanche rated\n• For automatic Insertion;	Vishay 威世科技	Vishay
IRFD9014	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFD9014_V01	文件：858.54 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • For automatic Insertion • End stackable • P-channel • 175 °C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation 文件：858.54 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9014PBF	文件：1.79963 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 POWER MOSFET 文件：1.79963 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFD9014PBF	文件：839.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinat 文件：839.16 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9014PBF	文件：858.54 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：858.54 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFD9014
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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