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IRFD024	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD024	文件：1.13847 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024	文件：421.42 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •ForAutomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024	文件：1.27397 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024_V01	文件：421.42 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •ForAutomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024PBF	文件：651.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD024PBF	文件：1.13847 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024_10	文件：1.27397 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024PBF	文件：1.27397 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024PBF	文件：421.43 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFD024
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFD024供应商更新时间2025-7-15 19:04:00

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