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IRFP22N50A	文件：444.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.23Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP22N50A	文件：319.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N50A	文件：281.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N50A	文件：103.56 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.23ohm,Id=22A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptIblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFP22N50A	文件：321.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N50A	文件：342.34 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N50APBF	文件：342.34 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N50APBF	文件：191.67 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)max=0.23廓,ID=22A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptIblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching Lead-Free Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCur	IRF International Rectifier	IRF
IRP22N50A	文件：281.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRP22N50APBF	文件：281.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFC22N50AB
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 500V - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFC22N50AB供应商更新时间2025-5-28 16:35:00

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