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IRFBC30AL	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to Ro 文件：274.61 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30AL	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：850.72 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30ALPBF	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to Ro 文件：274.61 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFBC30ALPBF	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET 文件：275.86 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low gate charge Qg results in simple drive requirement\nImproved gate, avalanche, and dynamic dv/dt ruggedness\nFully characterized capacitance and Avalanche voltage and current;	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC30AL
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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