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IRFBF20L	文件：311.85 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A) Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount(IRFBF20S) •Low-profilethrough-hole(IRFBF20L) •AvailableinTape&Ree	IRF International Rectifier	IRF
IRFBF20L	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapabeloftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovides	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20L	文件：312.93 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBF20S,SiHFBF20S) •Low-profilethrough-hole(IRFBF20L,SiHFBF20L) •Availableintapeandreel(IRFBF20S,SiHFBF20S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20LPBF	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapabeloftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovides	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFBF20LPBF	文件：373.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFBF20L
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFBF20L供应商更新时间2025-5-28 9:04:00

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