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IRFBC30S	文件：310.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) •Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30S	文件：362.05 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30S	文件：961.84 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30S_V01	文件：310.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) •Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30SPBF	文件：961.84 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30STRLPBF	文件：961.84 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC30S
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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