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IRFBC30	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Highcurrent,highspeedswitching •Switchmodepowersupplies •DC-ACconvertersforweldingequipmentandUninterruptiblepowersuppliesandmotorDriver. FEATURES •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •RuggedGateOxideTechnolog	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFBC30	文件：85.58 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™ΙΙistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswitchingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRFBC30	文件：173.79 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30	文件：780.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFBC30	文件：943.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30A	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30AL	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30ALPBF	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30APBF	文件：175.46 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFBC30
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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