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IRFBC20S	文件：310.72 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount (IRFBC20S, SiHFBC20S) • Low-profile through-hole (IRFBC20L, SiHFBC20L) • Available in tape and reel (IRFBC20, SiiHFBC20S) • Dynamic dV/dt rating • 150 °C operating temperature • Fast switching • Fully avalanche rated • Material categorization: for definitions of co 文件：310.72 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFBC20S	文件：355.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. It 文件：355.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC20S	文件：247.05 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：247.05 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFBC20S	文件：329.76 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：329.76 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFBC20S/LPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. It 文件：381.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC20S_V02	文件：310.72 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount (IRFBC20S, SiHFBC20S) • Low-profile through-hole (IRFBC20L, SiHFBC20L) • Available in tape and reel (IRFBC20, SiiHFBC20S) • Dynamic dV/dt rating • 150 °C operating temperature • Fast switching • Fully avalanche rated • Material categorization: for definitions of co 文件：310.72 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFBC20SPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. It 文件：381.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC20SSLASHLPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. It 文件：381.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC20S_V01	文件：329.76 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：329.76 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFBC20SPBF	文件：329.76 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：329.76 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC20S
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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