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IRFBC20S	文件：355.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC20S	文件：310.72 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC20S,SiHFBC20S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC20L,SiHFBC20L) •Availableintapeandreel(IRFBC20,SiiHFBC20S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20S	文件：247.05 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20S	文件：329.76 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20S/LPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC20S_V02	文件：310.72 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC20S,SiHFBC20S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC20L,SiHFBC20L) •Availableintapeandreel(IRFBC20,SiiHFBC20S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20SPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC20SSLASHLPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC20S_V01	文件：329.76 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20SPBF	文件：247.05 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC20S
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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