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IRFBC20S

IRTO-263

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芯为深仓现货

深圳市科达星科技有限公司

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IRFBC20S

IRD2-Pak

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原装正品,价格最低!

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRFBC20S

IRTO263

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深圳市威尔健半导体有限公司

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6040

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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IRFBC20S

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100500

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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市威尔健半导体有限公司

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IRFBC20S

IRD2-PAK

50000

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深圳市华来深电子有限公司

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IRFBC20S

IRTO-263

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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

深圳市一线半导体有限公司

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IRFBC20S

IRD2-Pak

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芯有半导体（深圳）有限公司

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IRFBC20S

IR原厂原装

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只做全新原装真实现货供应

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRFBC20S

IRD2-PAK

50000

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原装现货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC20S

Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

9000

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原厂渠道,现货配单

深圳市盈慧通电子有限公司

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IRFBC20S

IRTO-263

500

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电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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IRFBC20S

IRTO-263

4675

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全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRFBC20S

IRTO-263

35890

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市胜彬电子有限公司

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IRFBC20S

IRD2-PAK

8000

22+
1+
：￥0.1

原装正品支持实单

京海半导体(深圳)有限公司

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IRFBC20S

IRD2-PAK

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市信科微科技有限公司

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IRFBC20S

IRTO-263

500

26+

原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单

深圳市威雅利发展有限公司

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IRFBC20S

IRTO-263

400

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC20S

IRD2-PAK

6040

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC20S

IRTO-263

6000

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IRFBC20SPBF价格

IRFBC20SPBF价格：￥4.3791品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRFBC20SPBF多少钱，想知道IRFBC20SPBF价格是多少？参考价：￥4.3791。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC20SPBF批发价格及采购报价，IRFBC20SPBF销售排行榜及行情走势，IRFBC20SPBF报价。

IRFBC20S中文资料Alldatasheet PDF

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IRFBC20S功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC20S/LPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET

IRFBC20SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC20STRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC20STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC20STRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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