| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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25468 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
950 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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VISHAY原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世TO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
18342 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-220 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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1000 |
22+ |
TO-220-3 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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VISHAYTO-220 |
30000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IR/INTERSILTO-220 |
29865 |
22+ |
主营IR//英飞凌.终端BOM表可配单 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHAYTO-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
18722 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VISN/A |
13000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
IRFBC30采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBC30图片
IRFBC30PBF价格
IRFBC30PBF价格：￥2.9277品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBC30PBF多少钱，想知道IRFBC30PBF价格是多少？参考价：￥2.9277。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC30PBF批发价格及采购报价，IRFBC30PBF销售排行榜及行情走势，IRFBC30PBF报价。
IRFBC30PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBC30功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30A功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30AL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30ALPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30APBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30AS功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30ASPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30ASTRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30ASTRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30ASTRR功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
