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VISHAYN/A

70000

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRTO-263

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市星宇佳科技有限公司

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VISHAY/威世TO-262

2032

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原装进口无铅现货

深圳市恒凯威科技开发有限公司

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6880

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只做原装,质量保证

深圳市中联芯电子有限公司

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VISHAY/威世TO-220

5715

25+

只做原装 有挂有货 假一罚十

深圳市达恩科技有限公司

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Vishay原装优势现货

13000

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原装优势现货

深圳市华高宇电子有限公司

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VISHAY

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TO-220-3

深圳市赛尔通科技有限公司

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VISHAYTO-220

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INFINEON/英飞凌

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原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市讯顺达科技有限公司

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VISHAYTO-220

30000

21+

全新原装公司现货

深圳市柯尔基电子有限公司

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IR/INTERSILTO-220

9865

23+/24+

主营IR//英飞凌.终端BOM表可配单

深圳市天芯威科技有限公司

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VISHAY(威世)N/A

23500

23+

最新到货,只做原装进口

深圳市联世界科技有限公司

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VISHAY/威世TO-220

949

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原装清货,价优

深圳市鸿博高科电子有限公司

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VISHAYTO-220

50000

20+

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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VISHAY原厂封装

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原装正品，实单请联系

深圳市荣泽信电子科技有限公司

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IRTO-220

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全新原装的现货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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5000

2018+

全新原装真实库存含13点增值税票！

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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原装正品 假一罚十 可拆样

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世TO-220

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深圳市亿联芯电子科技有限公司

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VISHAY/威世TO-220

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IRFBC30PBF价格

IRFBC30PBF价格：￥2.9277品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRFBC30PBF多少钱，想知道IRFBC30PBF价格是多少？参考价：￥2.9277。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC30PBF批发价格及采购报价，IRFBC30PBF销售排行榜及行情走势，IRFBC30PBF报价。

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IRFBC30功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30A功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30AL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ALPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30APBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30AS功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASTRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASTRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASTRR功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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