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IRFBC30A	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
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IRFBC30A	文件：328.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IRFBC30A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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