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深圳市川科科技有限公司深圳市川科科技有限公司电话： 131-4700-5145 手机： 13147005145 询价：联系人：刘先生地址：深圳市福田区福田街道深南中路3037号南光捷佳大厦2418 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-10-27 16:17:00 7年留言	IRFBE20STRR 搜	VISHAY-威世TO-263-3	78800	24+25+/26+27+	1 +：￥10 1000 +：￥10	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
深圳市诺美思科技有限公司深圳市诺美思科技有限公司电话： 0755-82811187 手机： 13828790990 询价：联系人： Eva 地址：深圳市福田区华强北街道深纺大厦B座1503 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-10-27 15:59:00 17年留言	IRFBE20SPBF 搜	VISHAY原厂封装	9800			原装进口公司现货假一赔百
深圳市河锋鑫科技有限公司深圳市河锋鑫科技有限公司电话： 13652326683 手机： 13652326683 询价：联系人：杨佳河地址：深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-10-27 15:41:00 5年留言	IRFBE20STRR 搜	Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	22+		原厂渠道,现货配单
深圳市信科微科技有限公司深圳市信科微科技有限公司电话： 15019443639 手机： 15019443639 询价：联系人：颜先生地址：深圳市福田区华强北深坊大厦A座A1225 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-10-27 15:11:00 1年留言	IRFBE20SPBF 搜	VISHAYTO-263	9000	26+		原厂渠道可含税出货，支持一站式配单
深圳市创新迹电子有限公司深圳市创新迹电子有限公司电话： 13430590551 手机： 13430590551 询价：联系人：杨小姐地址：深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-10-27 15:01:00 3年留言	IRFBE20SPBF 搜	VISHAYTO-263	20000	22+		公司只做原装品质保障
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深圳市盈慧通电子有限公司深圳市盈慧通电子有限公司电话： 13530883133 手机： 13530883133 询价：联系人：林小姐地址：深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座28层2801 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-10-27 14:33:00 1年留言	IRFBE20SPBF 搜	VISHAYTO-263	12800	26+		电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！
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深圳市威雅利发展有限公司深圳市威雅利发展有限公司电话： 0755-83137789/18938923845 手机： 18938923845 询价：联系人：陈经理地址：深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1019号华强广场A座12K 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-10-27 14:06:00 8年留言	IRFBE20SPBF 搜	VISHAYTO-263	9000	11+		一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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IRFBE20STRR功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFBE20STRL功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFBE20S功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件