IRFI820G说明书PDF资料批发采购威世Vishay-114ic电子网

首页 >IRFI820G>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRFI820G	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial appl 文件：1.79738 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI820G	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir 文件：919.6 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI820G	文件：279.16 Kbytes Page：6 Pages	Hexfet Power mosfet 文件：279.16 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI820G_V01	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir 文件：919.6 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI820GPBF	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial appl 文件：1.79738 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI820GPBF	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：919.6 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI820G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Hexfet Power mosfet	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI820G
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 2.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市利加科技有限公司	IRFI820G	IOR	16+	TO-220	10000	全新原装现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFI820G	IR	24+	TO-220FullPak(Iso)	8866		询价
深圳市亿智腾科技有限公司	IRFI820G	IR	24+	TO-220F	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRFI820G	VISHAY	25+	TO220-3	375	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRFI820G	IR	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRFI820G	IR	21+	TO-220F	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFI820G	Vishay Siliconix	22+	TO2203 Isolated Tab	9000	原厂渠道,现货配单	询价
标准国际(香港)有限公司	IRFI820G	IR	25+		95	公司优势库存热卖中!	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IRFI820G	IR	05+	TO-220F	7000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IRFI820G	IR		TO-220F	68500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价

更多IRFI820G供应商更新时间2025-12-22 10:02:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号