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IRFIB7N50APBF	文件：194.14 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET VDSS500V Rds(on)max0.52Ω ID6.6A Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●Switch	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB7N50APBF	文件：198.36 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIB7N50L	文件：193.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-fr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIB7N50L	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity Applicatio	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB7N50LPBF	文件：204.61 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET,HEXFETPowerMOSFET FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity Applicatio	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB7N50LPBF	文件：193.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-fr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
KF7N50	文件：1.22508 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50	文件：1.21941 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=7A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50D	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
IRFIB7N50APBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRFIB7N50APBF	Vishay(威世)	24+	标准封装	8704	原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFIB7N50APBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多IRFIB7N50APBF供应商更新时间2025-5-25 23:01:00

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