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IRFIB7N50L	文件：193.78 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Super Fast Body Diode Eliminates the Need for External Diodes in ZVS Applications • Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Reqirements • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness • Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity • Lead (Pb)-fr 文件：193.78 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFIB7N50L	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Features and Benefits ● Super Fast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications ● Lower Gate charge results in simpler drive requirements ● Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness ● Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity Applicatio 文件：216.64 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFIB7N50LPBF	文件：204.61 Kbytes Page：9 Pages	SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET Features and Benefits ● Super Fast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications ● Lower Gate charge results in simpler drive requirements ● Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness ● Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity Applicatio 文件：204.61 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFIB7N50LPBF	文件：193.78 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Super Fast Body Diode Eliminates the Need for External Diodes in ZVS Applications • Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Reqirements • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness • Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity • Lead (Pb)-fr 文件：193.78 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFIB7N50L	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFIB7N50L
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
HEXFET Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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