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IRFIBC40G	文件：1.45775 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.45775 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIBC40G	文件：170.43 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A) Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industri 文件：170.43 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFIBC40G	文件：829.12 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：829.12 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIBC40G	文件：319.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIBC40G	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFIBC40GLC	文件：229.37 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A) Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industri 文件：229.37 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIBC40GLCPBF	文件：991.44 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industri 文件：991.44 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFIBC40GPBF	文件：1.45775 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.45775 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIBC40G_V01	文件：829.12 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：829.12 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIBC40GLC	文件：319.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRFIBC40G
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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