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IRFL110TRPBF	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Surface Mount • Available in Tape and Reel • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive 文件：1.45555 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFL110TRPBF	文件：1.46639 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs • 175 °C Maximum Junction Temperature • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.46639 Mbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFL110TRPBFA	文件：2.02105 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：2.02105 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多IRFL110TRPBF供应商更新时间2026-1-24 14:08:00