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IRFM250	文件：163.11 Kbytes Page：7 Pages	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) Part Number RDS(on) ID IRFM250 0.100 Ω 27.4A HEXFET® MOSFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductan 文件：163.11 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRFM250	文件：206.14 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements 文件：206.14 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRFM250	文件：614.32 Kbytes Page：2 Pages	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) 文件：614.32 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
IRFM250	文件：15.59 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：15.59 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFM250	文件：54.01 Kbytes Page：3 Pages	N?밅HANNEL POWER MOSFET 文件：54.01 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFM250	文件：300 bytes Page：1 Pages	HiRel MOSFETs \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFM250	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs and JFETs	TT Electronics	TT Electronics
IRFM250D	文件：46.83 Kbytes Page：2 Pages	N–CHANNEL POWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 27.4A RDS(on) 0.100Ω FEATURES • N–CHANNEL MOSFET • HIGH VOLTAGE • INTEGRAL PROTECTION DIODE • HERMETIC ISOLATED TO-254 PACKAGE • CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE OPTION 文件：46.83 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFM250_06	文件：54.01 Kbytes Page：3 Pages	N?밅HANNEL POWER MOSFET 文件：54.01 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFM250_15	文件：206.14 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements 文件：206.14 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFM250
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 27.4A 3PIN TO-254AA - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 200V, 27.4A, TO-254AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
27.4A; Drain Source Voltage
Vds：
200V; On Resistance
Rds(on)：
100mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

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