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IRFP250PBF	文件：1.86389 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effictiveness. The TO-220 package is universially preferred for commercial-industrial applications where higher power leve 文件：1.86389 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP250PBF	文件：1.49088 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.49088 Mbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP250PBF	文件：3.34495 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：3.34495 Mbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRFP250PBF	文件：2.40596 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs 文件：2.40596 Mbytes 页数：7 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
IRFP250PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Vishay 威世	Vishay

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