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IRFP150A	文件：261.24 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.032Ω(Typ.) 文件：261.24 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFP150A	文件：278.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：278.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP150A	文件：113.61 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：113.61 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
IRFP150A	文件：724.51 Kbytes Page：3 Pages	100V,60A Heatsink N-Channel Type Power MOSFET 文件：724.51 Kbytes 页数：3 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
IRFP150A	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式 MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
IRFP150A
功能描述：
MOSFET 100V N-Channel A-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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