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IRFPC50APBF

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive    Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt    Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage    and Current • Effective Coss Specified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Switch

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VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFPC50APBF

Power MOSFET

文件:224.27 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFPC50APBF

HEXFET짰Power MOSFET

文件:182.39 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFPC50PBF

VISHAY/威世
TO-247

VISHAY/威世

IRFPG50PBF

SST
SOP8

SST

Silicon Storage Technology, Inc

上传:深圳市得捷芯城科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRFPC50APBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 11 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRFPC50APBF供应商 更新时间2025-10-9 10:22:00