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IRFPC50APBF	文件：893.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Switch	VishayVishay Siliconix 威世科技
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功能描述

制造商&上传企业

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IRFPC50APBF

文件：893.51 Kbytes

Page：8 Pages

Power MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Switch

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFPC50APBF

文件：224.27 Kbytes

Page：11 Pages

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFPC50APBF

文件：182.39 Kbytes

Page：8 Pages

HEXFET짰Power MOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IRFPC50APBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFPC50APBF供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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