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IRFPS40N50LPBF	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFPS40N50LPBF	文件：152.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
FQL40N50	文件：311.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQL40N50	文件：623.42 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQL40N50F	文件：635.87 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRFPS40N50L	文件：111.42 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)typ.=0.087ohm,Id=46A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dt Ruggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ●LowTrrandSoftDiodeRecovery ●HighPerformanceOptimisedAnti-parallelDiode Applications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFPS40N50L	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFPS40N50L	文件：347.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFPS40N50L	文件：191.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IXFH40N50Q	文件：128.84 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFH40N50Q	文件：372.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=140mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFK40N50	文件：328.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFT40N50Q	文件：128.84 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTQ40N50Q	文件：561.48 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentPowerMOSFETQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTQ40N50Q	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
SIHFPS40N50L	文件：212.12 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
SiHFPS40N50L	文件：191.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
SIHFPS40N50L	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技

详细参数

型号：
IRFPS40N50LPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 46 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝隆宏业科技有限公司	IRFPS40N50LPBF	VISHAY/威世	21+	TO-247	36800	进口原装现货假一赔十	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	IRFPS40N50LPBF	VISHAY/威世	20+	TO-247	4000	进口原装假一赔十支持含税	询价
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深圳市华高宇电子有限公司	IRFPS40N50LPBF	VISHAY	18+/19+		5125	SUPER-247-3 (TO-274AA)	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	IRFPS40N50LPBF	VISHAY/威世	2021+	SUPER-247	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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深圳好佳好科技有限公司	IRFPS40N50LPBF	VISHAY	1436+	TO-274	30000	绝对原装进口现货可开增值税发票	询价

更多IRFPS40N50LPBF供应商更新时间2024-4-27 10:56:00

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