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IRFPC50LCPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Power MOSFET technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. Thes

文件:583.95 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFPC50LCPBF

HEXFET Power MOSFET

文件:1.59553 Mbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFPC50LCPBF

MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET

Vishay

威世

IRFPC50PBF

TO-247

VISHAY/威世

IRFPG50PBF

SOP8

SST

Silicon Storage Technology, Inc

上传:深圳市得捷芯城科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRFPC50LCPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 11 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFPC50LCPBF供应商 更新时间2025-11-29 8:01:00