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IRFR1N60APBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO 文件：156.53 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR1N60APBF	文件：231.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterruptable Power Supply ● Power Factor Correcti 文件：231.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR1N60APBF	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：270.24 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多IRFR1N60APBF供应商更新时间2026-1-29 21:08:00