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深圳市坤融电子科技有限公司

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IRFR3704

IRTO-252

11

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深圳市恒创达实业有限公司

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IRFR3704

IRTO-252

6200

17+

100%原装正品现货

深圳市创新迹电子有限公司

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IRFR3704

IRTO-252

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2021+

原厂原装,欢迎咨询

中天科工半导体(深圳)有限公司

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IRFR3704ZTRPBF

INFINEON/英飞凌TO-252-3

35000

23+

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热卖原装现货

深圳兆威电子有限公司

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INFINEON/英飞凌DPAK

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深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO252

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深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO-252

32000

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深圳市跃创芯科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252-3

60000

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绝对原装正品现货,假一罚十

深圳市特莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252-3

7132

21+23+

16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

深圳市坤融电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252-3

7132

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原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市创芯联科技电子有限公司

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IR(国际整流器)tray

2800

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正品现货直销 稳定供应现货可含税

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRTO-252

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全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市光华微科技有限公司

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IRTO-252

36000

22+

代理渠道力挺长期原装现货 可开增票

易创佳业科技(深圳)有限公司

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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK)

2000

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原装现货支持送检

深圳市华高宇电子有限公司

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INFINEON/IR

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PG-TO252-3 (DPAK)

深圳市安博威科技有限公司

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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK)

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原装正品 有挂有货

深圳市创新迹电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252-3

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市珩瑞科技有限公司

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IRTO-252

6000

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原装正品

深圳市恒意法电子有限公司

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IRDPAK

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专营原装正品现货,当天发货,可开发票!

深圳市福田区晶康业电子商行

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IRSOT252

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IRFR3704价格:¥1.5600品牌:IR

生产厂家品牌为IR的IRFR3704多少钱,想知道IRFR3704价格是多少?参考价:¥1.5600。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFR3704批发价格及采购报价,IRFR3704销售排行榜及行情走势,IRFR3704报价。

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IRFR3704功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3704HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 75A 3PIN DPAK - Bulk

IRFR3704PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR3704TR功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3704TRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3704TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 62A 9.5mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR3704TRPBF功能描述:MOSFET 20V SINGLE N-CH 9.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR3704Z功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3704ZCPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3704ZPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube