选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
11 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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INFINEON/英飞凌DPAK |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-252 |
32000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
7132 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
7132 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创芯联科技电子有限公司5年
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IR(国际整流器)tray |
2800 |
2022+ |
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正品现货直销 稳定供应现货可含税 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市光华微科技有限公司5年
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IRTO-252 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK) |
2000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
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2000 |
17+ |
PG-TO252-3 (DPAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK) |
2000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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IRDPAK |
8537 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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IRSOT252 |
8500 |
07+ |
全新原装,价格优势 |
IRFR3704采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFR3704图片
IRFR3704价格
IRFR3704价格:¥1.5600品牌:IR
生产厂家品牌为IR的IRFR3704多少钱,想知道IRFR3704价格是多少?参考价:¥1.5600。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFR3704批发价格及采购报价,IRFR3704销售排行榜及行情走势,IRFR3704报价。
IRFR3704TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3704功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3704HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 75A 3PIN DPAK - Bulk
IRFR3704PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3704TR功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3704TRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3704TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 62A 9.5mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3704TRPBF功能描述:MOSFET 20V SINGLE N-CH 9.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3704Z功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3704ZCPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3704ZPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube