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IRFR3710ZPBF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co 文件：688.61 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRFR3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co 文件：275.12 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：4.26598 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co 文件：4.26598 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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IRFR3710ZPBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：4.70307 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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详细参数

型号：
IRFR3710ZPBF
功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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