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IRFR540ZTRPBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.02244 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFR540ZTRPBF-TP

丝印:FR540Z;Package:TO-252;N-Channel MOSFET

Application « Reverse Battery protection » Load switch Power management PWM Application

文件:3.21483 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

IRFS540

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.041 Ω(Typ.)

文件:259.56 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

IRFS540

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:270.51 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFS540A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.041 Ω(Typ.)

文件:259.56 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    IRFR540ZTRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFR540ZTRPBF供应商 更新时间2026-1-31 19:20:00