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IRFS23N15DTRLP	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB23N15	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB23N15D	文件：371.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB23N15D	文件：1.18321 Mbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFB23N15DPBF	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB23N15DPBF	文件：1.81375 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFB23N15DPBF	文件：283.59 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFS23N15D	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS23N15D	文件：188.69 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFS23N15DTRLP
功能描述：
MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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