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IRFRC20PBF	文件：1.82401 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技
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IRFRC20PBF	文件：1.13808 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFRC20PBF-BE3	文件：1.13808 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

详细参数

型号：
IRFRC20PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFRC20PBF供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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