| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
495 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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IRTO-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-252 |
16083 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
11250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-252 |
7000 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
1900 |
1833+ |
原装现货!天天特价!随时可以货! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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VBsemi(台湾微碧)TO-252 |
105000 |
2112+ |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IRSOT-252 |
35689 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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IRSOT-252 |
7500 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
IRFR9010TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9010TR图片
IRFR9010TR价格
IRFR9010TR价格：￥1.9500品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRFR9010TR多少钱，想知道IRFR9010TR价格是多少？参考价：￥1.9500。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9010TR批发价格及采购报价，IRFR9010TR销售排行榜及行情走势，IRFR9010TR报价。
IRFR9010TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9010TR功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TRL功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TRR功能描述:MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
