| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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18年
留言
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IRTO-252 |
100 |
25+ |
公司原装现货 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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1年
留言
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NK/南科功率TO252 |
36520 |
9420 |
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国产南科平替供应大量 |
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17年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
12000 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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14年
留言
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IRD-PAK |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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7年
留言
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IRTO-252 |
15100 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK) |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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IRTO-252 |
9131 |
23+ |
全新原装正品现货可开票 |
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3年
留言
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IRD-PAK |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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11年
留言
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IRTO-252 |
22000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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12年
留言
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IR/INFINEONTO-252 |
5715 |
25+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
7704 |
20+ |
原装现货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK) |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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IRD-PAK |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装 现货库存 |
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10年
留言
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IR原厂原装 |
8000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK) |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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2年
留言
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IRSOP-252 |
6263 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
IRFR2405采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR2405图片
IRFR2405TRPBF价格
IRFR2405TRPBF价格：￥1.7163品牌：International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRFR2405TRPBF多少钱，想知道IRFR2405TRPBF价格是多少？参考价：￥1.7163。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR2405TRPBF批发价格及采购报价，IRFR2405TRPBF销售排行榜及行情走势，IRFR2405TRPBF报价。
IRFR2405TRPBF资讯
IRFR2405TRPBF
IRFR2405TRPBF
IRFR2405TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR2405制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK
IRFR2405PBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2405TR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR2405TRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 56A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR2405TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2405TRPBF功能描述:MOSFET 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2405TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 110 W 70 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK
IRFR2405TRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 56A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
