| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
2000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
9520 |
08+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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IRTO252 |
500 |
05+ |
公司原装现货,可来看货! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252AA |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-252 |
10000 |
23+ |
原装现货 假一罚十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
16319 |
19+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
15000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
900 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IORD-PAK |
87 |
04+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOT252 |
7650 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IR252 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IORTO252 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
3958 |
9950+ |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR-CHHTO-252 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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IORD-PAK |
35689 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO252 |
3000 |
22+ |
绝对原装现货 欢迎来电查询 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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IRTO252 |
3000 |
2023+ |
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专注全新正品,优势现货供应 |
IRFR3303TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR3303TR图片
IRFR3303TR价格
IRFR3303TR价格：￥1.9500品牌：IR
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IRFR3303TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3303TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3303TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 33A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR3303TRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3303TRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR3303TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 19.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
