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IRFR120NTRPBF	文件：979.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：979.62 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFR120NTRRPBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：249.71 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR120PBF	文件：2.12101 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27廓 , ID = 7.7A ) 文件：2.12101 Mbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR120PBF	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：1.70201 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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更多IRFR120NTRPBF供应商更新时间2026-2-10 10:00:00