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IRFR13N15DTRPBF	文件：228.09 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR13N15DTRPBF	文件：2.00718 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFU13N15D	文件：1.59727 Mbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU13N15D	文件：128.08 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.18ohm,Id=14A) Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFU13N15D	文件：246.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU13N15DPBF	文件：228.09 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFU13N15DPBF	文件：3.8327 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU13N15DPBF	文件：218.94 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
KSMD13N15	文件：659.63 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRFR13N15DTRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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