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IRFU13N15D	文件：128.08 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：128.08 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU13N15D	文件：1.59727 Mbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：1.59727 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU13N15D	文件：246.95 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：246.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU13N15DPBF	文件：3.8327 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：3.8327 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU13N15DPBF	文件：218.94 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：218.94 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU13N15DPBF	文件：228.09 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：228.09 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU13N15D	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFU13N15D
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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